期貨日報
楊美
2025-08-02 07:41
英偉達，引爆了一只港股！
8月1日，港股英諾賽科股價突然放量拉升，盤中漲幅一度超過60%，市值最高突破640億港元。截至收盤，英諾賽科股價漲幅收窄至30.91%
消息面上，近日，英偉達（NVIDIA）官網更新800V直流電源架構合作商名錄，中國氮化鎵龍頭企業(yè)——英諾賽科成為其芯片供應商。有業(yè)內人士指出，這意味著英偉達和英諾賽科正式達成深度合作。8月1日晚間，英諾賽科證實，公司已于近日與英偉達達成合作，聯(lián)合推動800 VDC（800伏直流）電源架構在AI數據中心的規(guī)?；涞?。
值得關注的是，今年5月份，美國的氮化鎵（GaN）功率芯片企業(yè)納微半導體宣布與英偉達就下一代800V高壓直流供電架構展開合作的消息傳開后，股價上漲超280%。
放量大漲
8月1日盤中，港股英諾賽科直線拉升，股價最高觸及72港元/股，漲幅一度達到63.64%。截至收盤，股價上漲30.91%報57.6港元/股，總市值為515億港元。英諾賽科全天成交額超過42億港元，較前一個交易日放量超1800%。
近日，英偉達（NVIDIA）官網更新800V直流電源架構合作商名錄，英諾賽科入選為芯片供應商，雙方將攜手推動800V直流（800 VDC）電源架構在AI數據中心的規(guī)?；瘧?。據了解，英偉達上述項目的芯片供應商還包括：ADI公司、英飛凌、MPS、納微半導體、安森美、瑞薩電子、羅姆半導體、意法半導體、德州儀器。
據英偉達官網介紹，AI工作負載的指數級增長，正在增加數據中心的功率需求。傳統(tǒng)的54V機架內配電專為千瓦（KW）-scale機架設計，無法支持即將進入現(xiàn)代AI工廠的兆瓦（MW）-scale機架。從2027年開始，英偉達將率先向800V HVDC數據中心電力基礎設施過渡，以支持1MW及以上的IT機架。英偉達正在與數據中心能源生態(tài)系統(tǒng)合作，研究實現(xiàn)這一概念所需的創(chuàng)新和變革。
8月1日晚間，英諾賽科在港交所公告稱，公司已于近日與全球AI技術領導者NVIDIA（英偉達）達成合作，聯(lián)合推動800 VDC（800伏直流）電源架構在AI數據中心的規(guī)?；涞?。該架構是英偉達針對未來高效供電兆瓦級計算基礎設施而專門設計的新一代電源系統(tǒng)，相比傳統(tǒng)54V電源，在系統(tǒng)效率、熱損耗和可靠性方面具有顯著優(yōu)勢，可支持AI算力100-1000倍的提升。
英諾賽科表示，公司的第三代GaN器件具備出色的高頻、高效率與高功率密度等特性，為英偉達800 VDC架構提供從800V輸入到GPU終端，覆蓋15V到1200V的全鏈路氮化鎵電源解決方案。隨著GaN技術與英偉達800 VDC供電架構的融合，未來幾年，AI數據中心將實現(xiàn)從千瓦級到兆瓦級的飛躍，開啟更高效、更可靠、更環(huán)保的AI計算時代。
值得關注的是，當地時間7月29日，半導體巨頭安森美也對外宣布，公司與英偉達達成合作，加速下一代AI數據中心向800V直流電源解決方案的過渡。據悉，這一轉型的核心是一種新型的配電系統(tǒng)，必須在每次電壓轉換中以最小損耗輸送大量電力。安森美表示，其智能電源解決方案是為下一代AI數據中心提供電力供給的最關鍵一環(huán)，可在每個階段實現(xiàn)高效率、高功率密度的電能轉換。
此前5月21日，美國功率器件大廠納微半導體宣布，與英偉達就其下一代800V高壓直流供電架構展開合作，以支持為其GPU（例如 Rubin Ultra）供電的“Kyber”機架級系統(tǒng)。據悉，納微半導體的氮化鎵和碳化硅技術將在這一合作中發(fā)揮關鍵作用。
受上述消息影響，5月22日，納微半導體的股價暴漲164%，為該公司史上最大單日漲幅。隨后兩個月，納微半導體的股價繼續(xù)震蕩攀升，最新股價報7.33美元/股，較合作消息披露前上漲超280%。
有何來頭？
公開資料顯示，英諾賽科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發(fā)與產業(yè)化的高新技術企業(yè)。公司采用IDM全產業(yè)鏈模式，集芯片設計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析于一體，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產能力。2024年12月30日，英諾賽科在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。
據了解，英諾賽科的氮化鎵產品用于各種低中高壓應用場景，產品研發(fā)范圍覆蓋15V至1200V，涵蓋晶圓、分立器件、IC、模組，并為客戶提供全氮化鎵解決方案。成立至今，英諾賽科擁有近700項專利及專利申請，產品可廣泛應用于消費電子、可再生能源及工業(yè)應用、汽車電子及數據中心等前沿領域。
今年4月份，英諾賽科披露產品開發(fā)進展稱，公司發(fā)布了自主開發(fā)的1200V氮化鎵(GaN)產品，該款產品憑借寬禁帶特性，在高壓高頻場景優(yōu)勢顯著，具備零反向恢復電荷的核心優(yōu)勢，有助于進一步推動能源轉換系統(tǒng)的效率提升和小型化，可廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)以及AI數據中心等領域。該款產品在新能源汽車800V平臺，可提升車載充電效率并縮小體積，擴大續(xù)航里程并降低成本；在高壓母線的AI數據中心架構及工業(yè)電源領域，有助于實現(xiàn)數據中心電源高效高密度的轉換以及工業(yè)電源的小型化和高效化。經公司客戶驗證，該產品已在中大功率電源方面實現(xiàn)量產，下一步將被應用在新能源汽車、AI數據中心等領域。
7月29日，英諾賽科披露，公司與聯(lián)合汽車電子（聯(lián)合電子）宣布成立聯(lián)合實驗室，利用GaN技術在尺寸、重量和效率方面的優(yōu)勢，開發(fā)先進的新能源汽車電力電子系統(tǒng)。據介紹，得益于GaN技術相較于傳統(tǒng)硅基功率器件的優(yōu)勢，GaN功率器件在電動汽車、可再生能源系統(tǒng)、人工智能及數據中心電源領域應用廣泛。與傳統(tǒng)硅相比，采用GaN的轉換器和逆變器功率損耗可降低高達10倍，顯著提升了效率、功率密度并降低系統(tǒng)成本，實現(xiàn)體積更小、重量更輕的優(yōu)勢，并減少二氧化碳排放。
財報數據顯示，2024年，英諾賽科的銷售收入為8.29億元，同比增長39.8%，主要是由于市場需求推動產品銷售額增加。其中，海外銷售收入1.26億元，同比增長118.1%。2024年，公司凈利虧損10.46億元，上年同期虧損11.02億元。
校對：趙燕
